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FDMS86252  与  BSC520N15NS3GATMA1  区别

型号 FDMS86252 BSC520N15NS3GATMA1
唯样编号 A36-FDMS86252 A-BSC520N15NS3GATMA1
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 FDMS86252 Series 150 V 51 mOhm N-Channel Shielded Gate PowerTrench Mosfet MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8-5
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 57W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 890pF @ 75V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 - 8-PowerTDFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 35uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 52 毫欧 @ 18A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 21A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 8V,10V
漏源电压(Vdss) - 150V
库存与单价
库存 1 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMS86252 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

暂无价格 1 当前型号
BSC520N15NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC520N15NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC520N15NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC520N15NS3GATMA1_21A SuperSO8 -55°C~150°C N-Channel 150V 52mΩ 3V,2V,4V

暂无价格 0 对比

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