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FDMS86200  与  BSC190N15NS3GATMA1  区别

型号 FDMS86200 BSC190N15NS3GATMA1
唯样编号 A36-FDMS86200 A-BSC190N15NS3GATMA1
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
数据表
RoHs 不符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率 2.5W(Ta),104W(Tc) -
功率耗散(最大值) - 125W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 18 毫欧 @ 9.6A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2420pF @ 75V
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.6A(Ta),35A(Tc) -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 19 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 8V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2715pF @ 75V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 150V -
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),104W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 90uA
系列 PowerTrench® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 75V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2715pF @ 75V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 46nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 50A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 150V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 46nC @ 10V -
库存与单价
库存 4 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMS86200 ON Semiconductor 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),104W(Tc) 18m Ohms@9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) Power N-Channel 150V 9.6A 9.6A(Ta),35A(Tc) 18 毫欧 @ 9.6A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) 8-PowerTDFN

暂无价格 4 当前型号
BSC190N15NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC190N15NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC190N15NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC190N15NS3GATMA1_150V 50A 19mΩ@50A,10V ±20V 125W -55°C~150°C N-Channel TDSON-8-1

暂无价格 0 对比

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