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FDMS86101  与  DMT10H010LPS-13  区别

型号 FDMS86101 DMT10H010LPS-13
唯样编号 A36-FDMS86101 A36-DMT10H010LPS-13
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 100 V 55 nC 8 mO Surface Mount PowerTrench® Mosfet - Power56 MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SMD PowerDI5060-8
工作温度 - -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 9.4A(Ta),98A(Tc)
驱动电压 - 4.5V,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 1.2W(Ta),139W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 9.5mΩ@13A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3000 pF @ 50 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 71 nC @ 10 V
库存与单价
库存 309 2,500
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥4.675
100+ :  ¥3.894
9+ :  ¥5.753
100+ :  ¥4.785
1,250+ :  ¥4.356
2,500+ :  ¥4.18
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMS86101 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SMD

¥4.675 

阶梯数 价格
20: ¥4.675
100: ¥3.894
309 当前型号
DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.2W(Ta),139W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~150℃(TJ) 100V 9.4A(Ta),98A(Tc)

¥5.753 

阶梯数 价格
9: ¥5.753
100: ¥4.785
1,250: ¥4.356
2,500: ¥4.18
2,500 对比
STL100N10F7 STMicro  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 对比
BSC060N10NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC060N10NS3GATMA1_100V 90A 6mΩ@50A,10V ±20V 125W N-Channel -55°C~150°C TDSON-8-1

暂无价格 0 对比
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BSC105N10LSFGATMA1_100V 90A 10.5mΩ 20V 156W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSC105N10LSFGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC105N10LSF G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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