FDMS7682 与 SIRA18DP-T1-GE3 区别
| 型号 | FDMS7682 | SIRA18DP-T1-GE3 | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-FDMS7682 | A3t-SIRA18DP-T1-GE3 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | 30V, 22A, 0.0063 ohms, Power 56 | MOSFET | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 3.3W(Ta),14.7W(Tc) | ||||||||
| 宽度 | - | 5.15 mm | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | +20V,-16V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | SOIC-8 | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 15.5A | ||||||||
| 系列 | - | SIR | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.4V @ 250µA | ||||||||
| 长度 | - | 6.15 mm | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1000pF @ 15V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 21.5nC @ 10V | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 7.5mΩ | ||||||||
| 高度 | - | 1.04 mm | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 2,947 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FDMS7682 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-PowerTDFN |
￥3.51
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2,947 | 当前型号 | ||||||||||
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DMT36M1LPS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI5060-8 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||||||
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DMT36M1LPS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI5060-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SIRA18DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
+20V,-16V 3.3W(Ta),14.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 15.5A 7.5mΩ |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
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SIRA18DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
+20V,-16V 3.3W(Ta),14.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 15.5A 7.5mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SIRA18DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
+20V,-16V 3.3W(Ta),14.7W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 15.5A 7.5mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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