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FDMS3660S  与  HP8K24TB  区别

型号 FDMS3660S HP8K24TB
唯样编号 A36-FDMS3660S A33-HP8K24TB-0
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Dual N-Channel 30 V 8 /1.8 mO 21 / 62 nC PowerTrench Asymmetric Mosfet - Power56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 1W -
Rds On(Max)@Id,Vgs 8 毫欧 @ 13A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1W 3W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 8.8mOhm@15A,10V,3mOhm@26A,10V
栅极电压Vgs - 2.5V@1mA
FET类型 逻辑电平门 2N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-HSOP
连续漏极电流Id 13A/30A 15A(Ta),27A(Tc),26A(Ta),80A(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150℃(TJ)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1765pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
栅极电荷Qg - 10nC,36nC@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1765pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
库存与单价
库存 13 5,000
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
7+ :  ¥8.206
30+ :  ¥7.2923
50+ :  ¥5.5962
100+ :  ¥5.0308
500+ :  ¥4.6475
1,000+ :  ¥4.5709
2,000+ :  ¥4.5134
4,000+ :  ¥4.475
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMS3660S ON Semiconductor 功率MOSFET

2N沟道(双)非对称型 13A,30A 8m Ohms@13A,10V 1W -55°C~150°C(TJ) Power56 Power N-Channel 30V 13A/30A 2 N 沟道(双)非对称型 逻辑电平门 8 毫欧 @ 13A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) 8-PowerTDFN

¥8.206 

阶梯数 价格
7: ¥8.206
13 当前型号
HP8K24TB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

15A(Ta),27A(Tc),26A(Ta),80A(Tc) 2N-Channel 2.5V@1mA 3W(Ta) 8-HSOP 150℃(TJ) 30V

¥7.2923 

阶梯数 价格
30: ¥7.2923
50: ¥5.5962
100: ¥5.0308
500: ¥4.6475
1,000: ¥4.5709
2,000: ¥4.5134
4,000: ¥4.475
5,000 对比
HP8K24TB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

15A(Ta),27A(Tc),26A(Ta),80A(Tc) 2N-Channel 2.5V@1mA 3W(Ta) 8-HSOP 150℃(TJ) 30V

¥7.2923 

阶梯数 价格
30: ¥7.2923
50: ¥5.5962
100: ¥5.0308
500: ¥4.6475
1,000: ¥4.5709
2,000: ¥4.5134
2,290 对比
BSC0921NDIATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC0921NDI_2 N 沟道(双)非对称型 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC0921NDI Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC0921NDIATMA1_30V 40A 3.9mΩ,1.2mΩ 20V 2.5W 2N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
AON6908A AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6B N-Channel 30V 12V 80A 78W 3.6mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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