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FDMA410NZ  与  DMN2022UFDF-7  区别

型号 FDMA410NZ DMN2022UFDF-7
唯样编号 A36-FDMA410NZ A36-DMN2022UFDF-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 20 V 23 mO 2.4 W PowerTrench® Mosfet - MICROFET-6 MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 2.4W(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 23 毫欧 @ 9.5A,4.5V -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2.4W(Ta) 660mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 22mΩ@4A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 907 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 18 nC @ 8 V
封装/外壳 6-VDFN 裸露焊盘 U-DFN2020-6(F 类)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 9.5A(Ta) 7.9A(Ta)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
驱动电压 - 1.5V,4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1080pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1080pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 6,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥1.0604
200+ :  ¥0.8151
1,500+ :  ¥0.7095
3,000+ :  ¥0.66
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMA410NZ ON Semiconductor 功率MOSFET

2.4W(Ta) 23m Ohms@9.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) MLP 9.5A N-Channel 20V 9.5A(Ta) ±8V 23 毫欧 @ 9.5A,4.5V -55°C ~ 150°C(TJ) 6-MicroFET(2x2) 6-VDFN 裸露焊盘

暂无价格 0 当前型号
DMN2022UFDF-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 660mW(Ta) ±8V U-DFN2020-6(F 类) -55℃~150℃(TJ) 20V 7.9A(Ta)

¥1.0604 

阶梯数 价格
50: ¥1.0604
200: ¥0.8151
1,500: ¥0.7095
3,000: ¥0.66
6,000 对比
PMPB23XNE,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB23XNE_SOT1220 N-Channel 1.7W 150℃ 0.65V,12V 20V 10.1A

¥1.355 

阶梯数 价格
560: ¥1.355
1,000: ¥1.0586
1,500: ¥0.8677
3,000: ¥0.7545
0 对比
PMPB23XNE,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB23XNE_SOT1220 N-Channel 1.7W 150℃ 0.65V,12V 20V 10.1A

暂无价格 0 对比
PMPB15XN,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PMPB15XN_SOT1220 N-Channel 1.7W 150℃ 12V,0.65V 20V 10.4A

¥1.3875 

阶梯数 价格
580: ¥1.3875
1,000: ¥1.0756
1,500: ¥0.8816
3,000: ¥0.7942
0 对比

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