FDG6332C 与 SI1553CDL-T1-GE3 区别
| 型号 | FDG6332C | SI1553CDL-T1-GE3 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-FDG6332C | A-SI1553CDL-T1-GE3 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | Dual N & P-Channel 20 V 300 mOhm PowerTrench Mosfet SC70-6 | N / P-Channel 20 V 0.39/0.85 O Power Mosfet - SOT-363 (SC-70-6) | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 封装/外壳 | SC-88(SC-70-6) | SC-70 | ||
| 连续漏极电流Id | 0.7A/0.6A | - | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||
| 系列 | PowerTrench® | - | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 300m Ohms@700mA,4.5V | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 113pF @ 10V | - | ||
| 漏源极电压Vds | 20V | - | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 300mW | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 1.5nC @ 4.5V | - | ||
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 13 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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FDG6332C | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
700mA,600mA 300m Ohms@700mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 SC-70 N+P-Channel 20V 0.7A/0.6A SC-88(SC-70-6) |
暂无价格 | 13 | 当前型号 | ||||
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AO7600 | AOS | 数据手册 | 小信号MOSFET |
300mΩ@900mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 N+P-Channel 20V 0.9A,0.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
SI1553CDL-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
SC-70 N+P-Channel |
￥1.0277
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0 | 对比 |
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