FDG6317NZ 与 SI1902CDL-T1-GE3 区别
| 型号 | FDG6317NZ | SI1902CDL-T1-GE3 | ||||
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| 唯样编号 | A36-FDG6317NZ | A-SI1902CDL-T1-GE3 | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET | ||||
| 描述 | Dual N-Channel 20 V 0.235 Ohm 0.42 W Surface Mount Mosfet - SC-70-6 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 封装/外壳 | - | SC-70-6 | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 1.1A | ||||
| 系列 | - | TrenchFET® | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 235mΩ | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 62pF @ 10V | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 1.5V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 420mW | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 3nC @ 10V | ||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 753 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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FDG6317NZ | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
￥0.8855
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753 | 当前型号 | ||||||||
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SI1902CDL-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
420mW -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 P-Channel 1.1A 235mΩ 1.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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SI1902CDL-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
420mW -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 P-Channel 1.1A 235mΩ 1.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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