FDD7N20TM 与 SIHFR220-GE3 区别
| 型号 | FDD7N20TM | SIHFR220-GE3 | ||||||||
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| 唯样编号 | A36-FDD7N20TM | A3t-SIHFR220-GE3 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | N-Channel 200 V 0.69 Ohm Surface Mount UniFET Mosfet TO-252-3 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | TO-252 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 4.8A(Tc) | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 800 mOhms @ 2.9A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 200V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.5W,42W | ||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||
| Vgs(th) | - | 4V @ 250uA | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 3,820 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FDD7N20TM | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
￥3.135
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3,820 | 当前型号 | ||||||||||
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IRFR220NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 43W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 600mΩ@2.9A,10V N-Channel 200V 5A D-Pak |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||||
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PSMN130-200D,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 150W 175°C 3V 200V 20A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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PSMN130-200D,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT428 N-Channel 150W 175°C 3V 200V 20A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
AOD450 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 200V 30V 3.8A 25W 700mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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SIHFR220-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
4.8A(Tc) N-Channel 800 mOhms @ 2.9A,10V 2.5W,42W TO-252 -55°C~150°C 200V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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