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FDD7N20TM  与  IRFR220NTRPBF  区别

型号 FDD7N20TM IRFR220NTRPBF
唯样编号 A36-FDD7N20TM A-IRFR220NTRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 200 V 0.69 Ohm Surface Mount UniFET Mosfet TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 600mΩ@2.9A,10V
漏源极电压Vds - 200V
Pd-功率耗散(Max) - 43W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 D-Pak
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 5A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 300pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 300pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 10V
库存与单价
库存 3,820 2,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
20+ :  ¥3.135
100+ :  ¥2.607
1,250+ :  ¥2.376
2,500+ :  ¥2.277
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDD7N20TM ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

¥3.135 

阶梯数 价格
20: ¥3.135
100: ¥2.607
1,250: ¥2.376
2,500: ¥2.277
3,820 当前型号
IRFR220NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 43W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 600mΩ@2.9A,10V N-Channel 200V 5A D-Pak

暂无价格 2,000 对比
PSMN130-200D,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT428 N-Channel 150W 175°C 3V 200V 20A

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