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FDD6637  与  SUD50P04-08-GE3  区别

型号 FDD6637 SUD50P04-08-GE3
唯样编号 A36-FDD6637 A-SUD50P04-08-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 35 V 11.6 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 3.1W(Ta),57W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.6 毫欧 @ 14A,10V 8.1mΩ@22A,10V
漏源极电压Vds 35V 40V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W(Ta),57W(Tc) 2.5W(Ta),73.5W(Tc)
栅极电压Vgs ±25V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 13A(Ta),55A(Tc) 50A
系列 PowerTrench® SUD
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2370pF @ 20V 5380pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V 159nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2370pF @ 20V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
库存与单价
库存 64 110
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
20+ :  ¥4.103
2,000+ :  ¥5.1474
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDD6637 ON Semiconductor 通用MOSFET

±25V 3.1W(Ta),57W(Tc) 11.6m Ohms@14A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 35V 13A 13A(Ta),55A(Tc) 11.6 毫欧 @ 14A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

¥4.103 

阶梯数 价格
20: ¥4.103
64 当前型号
SUD50P04-08-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),73.5W(Tc) 8.1mΩ@22A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252 P-Channel 40V 50A

暂无价格 2,000 对比
SUD50P04-08-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),73.5W(Tc) 8.1mΩ@22A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252 P-Channel 40V 50A

¥5.1474 

阶梯数 价格
2,000: ¥5.1474
110 对比
SUD50P04-08-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),73.5W(Tc) 8.1mΩ@22A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252 P-Channel 40V 50A

暂无价格 0 对比

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