| 型号 | FDC658AP | AO6405 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-FDC658AP | A36-AO6405 | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | AOS | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | P-Channel 30 V 50 mOhm Surface Mount Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-6 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Crss(pF) | - | 65 | ||||||
| Td(off)(ns) | - | 19 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 52mΩ@-5A,-10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | -30V | ||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 87mΩ | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W | ||||||
| Qrr(nC) | - | 5.3 | ||||||
| VGS(th) | - | -2.4 | ||||||
| Qgd(nC) | - | 2.2 | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||
| Td(on)(ns) | - | 7.5 | ||||||
| 封装/外壳 | SuperSOT-6 | TSOP-6 | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | -5A | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||
| Ciss(pF) | - | 520 | ||||||
| Trr(ns) | - | 11 | ||||||
| Coss(pF) | - | 100 | ||||||
| Qg*(nC) | - | 4.6 | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 88 | 7,930 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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FDC658AP | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SuperSOT-6 |
￥1.694
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88 | 当前型号 | ||||||||
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AO6405 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 P-Channel -30V ±20V -5A 2W 52mΩ@-5A,-10V -55°C~150°C |
￥0.8514
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7,930 | 对比 | ||||||||
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AO6405 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 P-Channel -30V ±20V -5A 2W 52mΩ@-5A,-10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||
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DMP3050LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 1.8W(Ta) 50mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 4.5A |
￥1.0604
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1,510 | 对比 | ||||||||
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DMP3065LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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DMP3065LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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