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FDC6303N  与  QS6K1TR  区别

型号 FDC6303N QS6K1TR
唯样编号 A36-FDC6303N A-QS6K1TR
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual N-Channel 25 V 0.45 Ohm Surface Mount Digital FET - SSOT-6 N-Channel + N-Channel 1.25 W 30 V 364 mOhm 2.4 nC SMT 2.5 V Drive MosFet -TSMT-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 TSMT
功率耗散Pd - 1.25W
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 1A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 77pF @ 10V
漏源极电压Vds - 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.4nC @ 4.5V
导通电阻Rds(On) - 238mΩ@1A,4.5V
FET类型 - N-Channel
库存与单价
库存 5,988 4,458
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
30+ :  ¥2.04
100+ :  ¥1.632
750+ :  ¥1.452
1,500+ :  ¥1.368
3,000+ :  ¥1.296
1+ :  ¥4.6927
100+ :  ¥2.7124
1,500+ :  ¥1.7197
3,000+ :  ¥1.2433
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDC6303N ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

¥2.04 

阶梯数 价格
30: ¥2.04
100: ¥1.632
750: ¥1.452
1,500: ¥1.368
3,000: ¥1.296
5,988 当前型号
QS6K1TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A

¥6.6701 

阶梯数 价格
100: ¥6.6701
500: ¥6.2488
1,000: ¥5.7573
3,000: ¥4.7744
5,990 对比
QS6K1TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A

¥4.6927 

阶梯数 价格
1: ¥4.6927
100: ¥2.7124
1,500: ¥1.7197
3,000: ¥1.2433
4,458 对比
QS6K1TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A

¥0.623 

阶梯数 价格
90: ¥0.623
2,944 对比
QS6K1TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A

暂无价格 160 对比
QS6K1TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

238mΩ@1A,4.5V 1.25W 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 1A

暂无价格 1 对比

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