FDC5612 与 SI3476DV-T1-GE3 区别
| 型号 | FDC5612 | SI3476DV-T1-GE3 | ||||||
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| 唯样编号 | A36-FDC5612 | A3t-SI3476DV-T1-GE3 | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | N-Channel 60 V 0.055 Ohm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SSOT-6 | N-Channel 80 V 4.6 A 93 mO 3.6 W Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 105mΩ | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 3V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W(Ta),3.6W(Tc) | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 | TSOP-6 | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 4.6A | ||||||
| 系列 | - | TrenchFET® | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 195pF @ 40V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 7.5nC @ 10V | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 868 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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FDC5612 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
￥1.617
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868 | 当前型号 | ||||||||
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SI3476DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta),3.6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 4.6A 105mΩ 3V |
暂无价格 | 25 | 对比 | ||||||||
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SI3476DV-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta),3.6W(Tc) -55°C~150°C(TJ) TSOP-6 N-Channel 4.6A 105mΩ 3V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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