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FCP165N60E  与  STP24N60DM2  区别

型号 FCP165N60E STP24N60DM2
唯样编号 A36-FCP165N60E A3-STP24N60DM2
制造商 ON Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.2 Ohm 29 nC 150 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 150W(Tc)
功率 227W(Tc) -
漏源极电压Vds 600V 600V
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
连续漏极电流Id 23A(Tc) 18A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - FDmesh™ II Plus
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1055pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 29nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2434pF @ 380V -
导通电阻Rds(On) 165 毫欧 @ 11.5A,10V 200mΩ@9A,10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 75nC @ 10V -
库存与单价
库存 800 3,000
工厂交货期 3 - 15天 5 - 7天
单价(含税)
8+ :  ¥6.54
50+ :  ¥6.228
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCP165N60E ON Semiconductor 功率MOSFET

N-Channel 600V 23A(Tc) ±20V 165 毫欧 @ 11.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3

¥6.54 

阶梯数 价格
8: ¥6.54
50: ¥6.228
800 当前型号
STP24N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 18,050 对比
STP24N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 150W(Tc) 200mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220 N-Channel 600V 18A

暂无价格 3,000 对比
STP24N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 150W(Tc) 200mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220 N-Channel 600V 18A

¥6.288 

阶梯数 价格
8: ¥6.288
100: ¥5.028
324 对比
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

¥8.508 

阶梯数 价格
6: ¥8.508
6 对比
STP24N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比

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