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DTC114EKAT146  与  MMUN2214LT1G  区别

型号 DTC114EKAT146 MMUN2214LT1G
唯样编号 A36-DTC114EKAT146 A36-MMUN2214LT1G
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 BJT三极管 BJT三极管
描述 MMUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm NPN Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
R2 10K Ohms -
功率耗散Pd 200mW -
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
功率 - 0.246W
特征频率fT 250MHz -
产品特性 - 带阻/预偏置
电阻器-基底(R1)(欧姆) - 10k
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) - 47K Ohms
集电极-射极饱和电压 300mV -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
封装/外壳 SOT-346 SOT-23
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 80 @ 5mA,10V
工作温度 -55°C~150°C -
集电极电流Ic 50mA -
集电极_发射极击穿电压VCEO - 50V
集电极最大允许电流Ic - 100mA
集电极-发射极Vceo 50V -
直流电流增益hFE 30 -
晶体管类型 NPN NPN
R1 10K Ohms -
库存与单价
库存 276,799 35,081
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6435
200+ :  ¥0.27
1,500+ :  ¥0.1679
3,000+ :  ¥0.1332
80+ :  ¥0.6756
200+ :  ¥0.282
1,500+ :  ¥0.177
3,000+ :  ¥0.1395
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DTC114EKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-346 200mW 50V 50mA NPN

¥0.6435 

阶梯数 价格
80: ¥0.6435
200: ¥0.27
1,500: ¥0.1679
3,000: ¥0.1332
276,799 当前型号
PDTC114ET,215 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-23 250mW 50V 100mA NPN

暂无价格 211,994 对比
PDTC143ET,215 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-23 250mW 50V 100mA NPN

暂无价格 96,278 对比
MMUN2214LT1G ON Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-23 NPN 带阻/预偏置

¥0.6756 

阶梯数 价格
80: ¥0.6756
200: ¥0.282
1,500: ¥0.177
3,000: ¥0.1395
35,081 对比
PDTD123ET,215 Nexperia  数据手册 BJT三极管

SOT-23 250mW 50V 500mA 车规 NPN

暂无价格 32,580 对比
MMUN2232LT1G ON Semiconductor  数据手册 BJT三极管

SOT-23 带阻/预偏置

¥0.3926 

阶梯数 价格
130: ¥0.3926
200: ¥0.2925
1,500: ¥0.255
3,000: ¥0.225
11,853 对比

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