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DTC114EKAT146  与  MMUN2214LT1G  区别

型号 DTC114EKAT146 MMUN2214LT1G
唯样编号 A36-DTC114EKAT146 A32-MMUN2214LT1G-1
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 带阻三极管
描述 MMUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm NPN Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
R2 10K Ohms -
功率耗散Pd 200mW -
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
功率 - 0.246W
特征频率fT 250MHz -
电阻器-基底(R1)(欧姆) - 10k
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) - 47K Ohms
集电极-射极饱和电压 300mV -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 250mV @ 300µA,10mA
封装/外壳 SOT-346 SOT-23
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 80 @ 5mA,10V
工作温度 -55℃~150℃ -
集电极_发射极击穿电压VCEO - 50V
集电极连续电流 50mA -
集电极最大允许电流Ic - 100mA
直流电流增益hFE 30 -
集电极-发射极最大电压VCEO 50V -
晶体管类型 NPN NPN
R1 10K Ohms -
库存与单价
库存 326,838 45,000
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
100+ :  ¥0.5511
200+ :  ¥0.2505
1,500+ :  ¥0.156
3,000+ :  ¥0.108
3,000+ :  ¥0.1199
6,000+ :  ¥0.1139
12,000+ :  ¥0.1082
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DTC114EKAT146 ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-346 200mW NPN 50V 50mA 300mV 30 250MHz

¥0.5511 

阶梯数 价格
100: ¥0.5511
200: ¥0.2505
1,500: ¥0.156
3,000: ¥0.108
326,838 当前型号
MMUN2214LT1G ON Semiconductor  数据手册 带阻三极管

SOT-23 NPN

¥0.1757 

阶梯数 价格
1: ¥0.1757
25: ¥0.1595
100: ¥0.1451
1,000: ¥0.1319
3,000: ¥0.1199
6,000: ¥0.1139
12,000: ¥0.1082
713,800 对比
PDTC114ET,215 Nexperia  数据手册 通用三极管

PDTC114ET_SOT-23 250mW NPN 50V 100mA 150mV 30 230MHz

¥0.153 

阶梯数 价格
330: ¥0.153
1,500: ¥0.0957
3,000: ¥0.0792
298,650 对比
PDTC124ET,215 Nexperia  数据手册 通用三极管

PDTC124ET_SOT-23 250mW NPN 50V 100mA 150mV 60 230MHz

¥0.1665 

阶梯数 价格
310: ¥0.1665
1,500: ¥0.1044
3,000: ¥0.0864
213,869 对比
MMUN2214LT1G ON Semiconductor  数据手册 带阻三极管

SOT-23 NPN

¥0.1199 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.1199
6,000: ¥0.1139
12,000: ¥0.1082
45,000 对比
PDTC114YT,215 Nexperia  数据手册 通用三极管

PDTC114YT_SOT-23 250mW NPN 50V 100mA 100mV 100 230MHz

¥0.1935 

阶梯数 价格
260: ¥0.1935
1,500: ¥0.1205
3,000: ¥0.0831
35,490 对比

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