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DMTH6010LK3-13  与  IRLR3705ZTRPBF  区别

型号 DMTH6010LK3-13 IRLR3705ZTRPBF
唯样编号 A36-DMTH6010LK3-13 A36-IRLR3705ZTRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252 Single N-Channel 55 V 12 mOhm 66 nC 130 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8mΩ@42A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 3.1W(Ta) 130W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 8mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2090 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 41.3 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 14.8A(Ta),70A(Tc) 89A
系列 - HEXFET®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2900pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 66nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2900pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 66nC @ 5V
库存与单价
库存 5,150 3,099
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥3.751
100+ :  ¥2.882
1,250+ :  ¥2.508
2,500+ :  ¥2.365
20+ :  ¥4.862
100+ :  ¥4.048
1,000+ :  ¥3.674
2,000+ :  ¥3.41
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6010LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

¥3.751 

阶梯数 价格
20: ¥3.751
100: ¥2.882
1,250: ¥2.508
2,500: ¥2.365
5,150 当前型号
IRLR3705ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥4.862 

阶梯数 价格
20: ¥4.862
100: ¥4.048
1,000: ¥3.674
2,000: ¥3.41
3,099 对比
IRFR3806TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥3.443 

阶梯数 价格
20: ¥3.443
100: ¥2.651
1,000: ¥2.31
1,345 对比
IRFR2405TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥4.697 

阶梯数 价格
20: ¥4.697
100: ¥3.916
287 对比
IRFR3607TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥3.311 

阶梯数 价格
20: ¥3.311
100: ¥2.552
179 对比
IRLR3705ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比

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