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DMTH6004SK3-13  与  TK4R4P06PL,RQ  区别

型号 DMTH6004SK3-13 TK4R4P06PL,RQ
唯样编号 A36-DMTH6004SK3-13 A-TK4R4P06PL,RQ
制造商 Diodes Incorporated Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO252 MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V 60 V
Pd-功率耗散(Max) 3.9W(Ta),180W(Tc) 87W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs 3.8mΩ@90A,10V 4.4 毫欧 @ 29A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4556 pF @ 30 V 3280 pF @ 30 V
Vgs(th) - 2.5V @ 500uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 95.4 nC @ 10 V 48.2 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3 DPAK
工作温度 -55℃~175℃(TJ) 175°C
连续漏极电流Id 100A(Tc) 58A(Tc)
驱动电压 10V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 1,595 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
9+ :  ¥5.577
100+ :  ¥4.653
1,250+ :  ¥4.224
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6004SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

¥5.577 

阶梯数 价格
9: ¥5.577
100: ¥4.653
1,250: ¥4.224
1,595 当前型号
IPD053N06NATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD053N06N_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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TK4R4P06PL,RQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK

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DMTH6004SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

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IPD053N06N Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD053N06NATMA1_6.5mm

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