DMTH4007LPSQ-13 与 CSD18504Q5A 区别
| 型号 | DMTH4007LPSQ-13 | CSD18504Q5A | ||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMTH4007LPSQ-13 | A36-CSD18504Q5A | ||||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | TI | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060 | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 功率耗散Pd | 2.7W(Ta),150W(Tc) | - | ||||||||||||||||
| 功率 | - | 3.1W(Ta),77W(Tc) | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 40V | 40V | ||||||||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 6.5mΩ@20A,10V | - | ||||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1895 pF @ 30 V | - | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 29.1 nC @ 10 V | - | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | PowerDI5060-8 | 8-PowerTDFN | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 15.5A(Ta),100A(Tc) | 15A(Ta),50A(Tc) | ||||||||||||||||
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - | ||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.4V @ 250µA | ||||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1656pF @ 20V | ||||||||||||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 6.6 毫欧 @ 17A,10V | ||||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 19nC @ 10V | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 2,500 | 3,207 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMTH4007LPSQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 2.7W(Ta),150W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55°C~175°C(TJ) 40V 15.5A(Ta),100A(Tc) 车规 |
￥4.944
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2,500 | 当前型号 | ||||||||||
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CSD18504Q5A | TI | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 40V 15A(Ta),50A(Tc) ±20V 6.6 毫欧 @ 17A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-PowerTDFN |
￥6.18
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3,207 | 对比 |
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