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DMTH10H010LCT  与  FDP3632  区别

型号 DMTH10H010LCT FDP3632
唯样编号 A36-DMTH10H010LCT A32-FDP3632
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 310 W 110 nC PowerTrench Through Hole Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 310W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.5mΩ@13A,10V 9 毫欧 @ 80A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.4W(Ta),166W(Tc) 310W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
连续漏极电流Id 108A(Tc) 12A(Ta),80A(Tc)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2592pF @ 50V 6000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 53.7nC @ 10V 110nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6000pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
库存与单价
库存 0 25
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥6.6764
25+ :  ¥6.1819
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH10H010LCT Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100V 108A(Tc) ±20V 2.4W(Ta),166W(Tc) 9.5mΩ@13A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
STP100N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 7,000 对比
AOT288L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 80V 20V 46A 93.5W 9.2mΩ@10V

¥7.1429 

阶梯数 价格
1: ¥7.1429
100: ¥5.1471
500: ¥4.4304
1,000: ¥3.5
1,000 对比
FDP3632 ON Semiconductor 通用MOSFET

310W(Tc) 9m Ohms@80A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB 12A N-Channel 100V 12A(Ta),80A(Tc) ±20V 9 毫欧 @ 80A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) TO-220-3

¥6.6764 

阶梯数 价格
1: ¥6.6764
25: ¥6.1819
25 对比
STP100N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
PSMN9R5-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN9R5-100PS_SOT78 N-Channel 211W 175℃ 3V 100V 89A

¥11.0802 

阶梯数 价格
20: ¥11.0802
50: ¥9.0821
0 对比

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