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DMT8012LK3-13  与  NVD6824NLT4G  区别

型号 DMT8012LK3-13 NVD6824NLT4G
唯样编号 A36-DMT8012LK3-13 A3-NVD6824NLT4G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 44A TO252 ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD6824NLT4G, 41 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 90W
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 23 m0hms
漏源极电压Vds 80V 100 V
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 2.7W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 17mΩ@12A,10V -
引脚数目 - 3
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1949 pF @ 40 V -
栅极电压Vgs ±20V -20 V、+20 V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 34 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 6.73*6.22*2.38mm
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -
连续漏极电流Id 44A(Tc) 41 A
驱动电压 4.5V,10V -
最低工作温度 - -55 °C
最高工作温度 - +175 °C
典型接通延迟时间 - 15 ns
典型关断延迟时间 - 31 ns
库存与单价
库存 1,527 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.608
100+ :  ¥3.003
1,250+ :  ¥2.739
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT8012LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.7W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 80V 44A(Tc)

¥3.608 

阶梯数 价格
20: ¥3.608
100: ¥3.003
1,250: ¥2.739
1,527 当前型号
AUIRFR3710Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 18mΩ@33A,10V N-Channel 100V 56A D-Pak 车规

暂无价格 0 对比
TK40S10K3Z(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 93W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 100 V 40A(Ta)

暂无价格 0 对比
NVD6824NLT4G ON Semiconductor 功率MOSFET

N-Channel 41 A 100 V 23 m0hms 2.5V -20 V、+20 V 6.73*6.22*2.38mm

暂无价格 0 对比
NVD6824NLT4G ON Semiconductor 功率MOSFET

N-Channel 41 A 100 V 23 m0hms 2.5V -20 V、+20 V 6.73*6.22*2.38mm

暂无价格 0 对比
IRFR3710Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

18mΩ 100V DPAK (TO-252) N-Channel 20V 56A

暂无价格 0 对比

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