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DMT8012LK3-13  与  TK40S10K3Z(T6L1,NQ  区别

型号 DMT8012LK3-13 TK40S10K3Z(T6L1,NQ
唯样编号 A36-DMT8012LK3-13 A-TK40S10K3Z(T6L1,NQ
制造商 Diodes Incorporated Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 44A TO252 MOSFET N-CH 100V 40A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 80V 100 V
Pd-功率耗散(Max) 2.7W(Ta) 93W(Tc)
产品状态 - 最后售卖
RdsOn(Max)@Id,Vgs 17mΩ@12A,10V 18 毫欧 @ 20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1949 pF @ 40 V 3110 pF @ 10 V
Vgs(th) - 4V @ 1mA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 34 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3 DPAK+
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 44A(Tc) 40A(Ta)
驱动电压 4.5V,10V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
库存与单价
库存 1,527 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.608
100+ :  ¥3.003
1,250+ :  ¥2.739
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT8012LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.7W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 80V 44A(Tc)

¥3.608 

阶梯数 价格
20: ¥3.608
100: ¥3.003
1,250: ¥2.739
1,527 当前型号
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TK40S10K3Z(T6L1,NQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

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