DMT6010LFG-7 与 IRFH5007TRPBF 区别
| 型号 | DMT6010LFG-7 | IRFH5007TRPBF | ||||
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| 唯样编号 | A36-DMT6010LFG-7 | A-IRFH5007TRPBF | ||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333 | Single N-Channel 75 V 3.6 W 65 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 5.9mΩ@50A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 75V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2.2W(Ta),41W(Tc) | 3.6W(Ta),156W(Tc) | ||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 7.5mΩ@20A,10V | - | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 2090 pF @ 30 V | - | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||
| 电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | - | 10V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 41.3 nC @ 10 V | - | ||||
| 封装/外壳 | PowerDI3333-8 | PQFN(5x6) | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 13A(Ta),30A(Tc) | 17A | ||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||
| 电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | - | 25V | ||||
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - | ||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 150µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 4290pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 98nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 150µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 4290pF @ 25V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 98nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 516 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价(含税) |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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DMT6010LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 2.2W(Ta),41W(Tc) ±20V PowerDI3333-8 -55°C~150°C(TJ) 60V 13A(Ta),30A(Tc) |
¥3.102
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516 | 当前型号 | ||||||
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IRFH5007TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),156W(Tc) 5.9mΩ@50A,10V N-Channel 75V 17A PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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BSZ100N06LS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 20A 7.7mΩ 20V 50W N-Channel -55°C~150°C PG-TSDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |