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DMT6010LFG-7  与  AON6444  区别

型号 DMT6010LFG-7 AON6444
唯样编号 A36-DMT6010LFG-7 A-AON6444
制造商 Diodes Incorporated AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.5 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.2W(Ta),41W(Tc) 2.3W(Ta),83W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 7.5mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2090 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 41.3 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 8-DFN(5x6)
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 13A(Ta),30A(Tc) 14A(Ta),81A(Tc)
驱动电压 4.5V,10V -
栅极电荷Qg - 96nC @ 10V
库存与单价
库存 3,925 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.355
100+ :  ¥2.585
1,000+ :  ¥2.255
2,000+ :  ¥2.145
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6010LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.2W(Ta),41W(Tc) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 60V 13A(Ta),30A(Tc)

¥3.355 

阶梯数 价格
20: ¥3.355
100: ¥2.585
1,000: ¥2.255
2,000: ¥2.145
3,925 当前型号
IRFH5007TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),156W(Tc) 5.9mΩ@50A,10V N-Channel 75V 17A PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
AON6444 AOS 功率MOSFET

14A(Ta),81A(Tc) N-Channel ±20V 6.5 mΩ @ 20A,10V 8-DFN(5x6) 2.3W(Ta),83W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 60V

暂无价格 0 对比
BSZ067N06LS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比
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