DMT6009LSS-13 与 IRF7855TRPBF 区别
| 型号 | DMT6009LSS-13 | IRF7855TRPBF | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMT6009LSS-13 | A-IRF7855TRPBF | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 1.25W(Ta) | 2.5W(Ta) | ||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 9.5mΩ@13.5A,10V | - | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1925 pF @ 30 V | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | - | 10V | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 33.5 nC @ 10 V | - | ||||||
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SO | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 10.8A(Ta) | 12A | ||||||
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | - | 25V | ||||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||||
| 驱动电压 | 4.5V,10V | - | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4.9V @ 100µA | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1560pF @ 25V | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 39nC @ 10V | ||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4.9V @ 100µA | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1560pF | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | - | 9.4mΩ@12A,10V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 39nC | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 2,294 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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DMT6009LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.25W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 60V 10.8A(Ta) |
￥3.4428
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2,294 | 当前型号 | ||||||||
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IRF7855TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 9.4mΩ@12A,10V N-Channel 60V 12A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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