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DMT4002LPS-13  与  BSC014N04LSI  区别

型号 DMT4002LPS-13 BSC014N04LSI
唯样编号 A36-DMT4002LPS-13 A-BSC014N04LSI
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
上升时间 - 50ns
Qg-栅极电荷 - 55nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6771 pF @ 20 V -
栅极电压Vgs ±20V 10V
正向跨导 - 最小值 - 110S
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 116.1 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 PG-TDSON-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 100A(Ta) 100A
配置 - Single
长度 - 5.9mm
下降时间 - 11ns
导通电阻Rds(On) - 1.45mΩ
高度 - 1.27mm
功率耗散Pd 2.3W 96W
漏源极电压Vds 40V 40V
RdsOn(Max)@Id,Vgs 1.8mΩ@25A,10V -
典型关闭延迟时间 - 55ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - BSC014N04
驱动电压 4.5V,10V -
典型接通延迟时间 - 16ns
库存与单价
库存 111 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.816
100+ :  ¥3.192
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT4002LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 2.3W ±20V PowerDI5060-8 -55°C~150°C(TJ) 40V 100A(Ta)

¥3.816 

阶梯数 价格
20: ¥3.816
100: ¥3.192
111 当前型号
BSC014N04LSI Infineon  数据手册 功率MOSFET

40V 100A 1.45mΩ 10V 96W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8

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