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DMT10H015LSS-13  与  IRF7493TRPBF  区别

型号 DMT10H015LSS-13 IRF7493TRPBF
唯样编号 A36-DMT10H015LSS-13 A36-IRF7493TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 8.3A Single N-Channel 80 V 15 mOhm 53 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 16mΩ@20A,10V 15mΩ@5.6A,10V
漏源极电压Vds 100V 80V
Pd-功率耗散(Max) 1.2W(Ta) 2.5W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.3A 9.3A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1871pF @ 50V 1510pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33.3nC @ 10V 53nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1510pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 53nC @ 10V
库存与单价
库存 2,933 100
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥3.432
100+ :  ¥2.64
1,250+ :  ¥2.288
2,500+ :  ¥2.167
20+ :  ¥4.785
100+ :  ¥3.993
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT10H015LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

¥3.432 

阶梯数 价格
20: ¥3.432
100: ¥2.64
1,250: ¥2.288
2,500: ¥2.167
2,933 当前型号
IRF7493TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥4.785 

阶梯数 价格
20: ¥4.785
100: ¥3.993
100 对比
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