DMT10H015LSS-13 与 IRF7493TRPBF 区别
| 型号 | DMT10H015LSS-13 | IRF7493TRPBF | ||||
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| 唯样编号 | A36-DMT10H015LSS-13 | A-IRF7493TRPBF | ||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 8.3A | Single N-Channel 80 V 15 mOhm 53 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 16mΩ@20A,10V | 15mΩ@5.6A,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | 100V | 80V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.2W(Ta) | 2.5W(Tc) | ||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SO | 8-SO | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 8.3A | 9.3A | ||||
| 系列 | - | HEXFET® | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1871pF @ 50V | 1510pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 33.3nC @ 10V | 53nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 10V | ||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA | ||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1510pF @ 25V | ||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 53nC @ 10V | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 590 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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DMT10H015LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.2W(Ta) 16mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 100V 8.3A |
￥3.267
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590 | 当前型号 | ||||||
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IRF7493TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 15mΩ@5.6A,10V N-Channel 80V 9.3A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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