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DMT10H010LSS-13  与  AO4444  区别

型号 DMT10H010LSS-13 AO4444
唯样编号 A36-DMT10H010LSS-13 A-AO4444
制造商 Diodes Incorporated AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.5mΩ@13A,10V 12 mΩ @ 11A,10V
漏源极电压Vds 100V 80V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W(Ta) 3.1W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11.5A 11A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 71nC @ 10V -
栅极电荷Qg - 46nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 410 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.916
100+ :  ¥3.256
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT10H010LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.4W(Ta) 9.5mΩ@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC N-Channel 100V 11.5A

¥3.916 

阶梯数 价格
20: ¥3.916
100: ¥3.256
410 当前型号
AO4444 AOS  数据手册 功率MOSFET

11A(Ta) N-Channel ±25V 12 mΩ @ 11A,10V 8-SOIC 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 80V

暂无价格 0 对比

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