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DMT10H010LPS-13  与  BSC079N10NSGATMA1  区别

型号 DMT10H010LPS-13 BSC079N10NSGATMA1
唯样编号 A36-DMT10H010LPS-13-1 A-BSC079N10NSGATMA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 9.4A PWRDI5060 MOSFET N-CH 100V 13.4A 8TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 156W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 1.2W(Ta),139W(Tc) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 9.5mΩ@13A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3000 pF @ 50 V 5900pF @ 50V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 71 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 8-PowerTDFN
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.4A(Ta),98A(Tc) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 110uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 87nC @ 10V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 7.9 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 13.4A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 4,500 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥5.1777
100+ :  ¥4.3065
1,250+ :  ¥3.9204
2,500+ :  ¥3.762
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT10H010LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.2W(Ta),139W(Tc) ±20V PowerDI5060-8 -55℃~150℃(TJ) 100V 9.4A(Ta),98A(Tc)

¥5.1777 

阶梯数 价格
10: ¥5.1777
100: ¥4.3065
1,250: ¥3.9204
2,500: ¥3.762
4,500 当前型号
BSC160N10NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC160N10NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
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BSC079N10NS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

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暂无价格 0 对比

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