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首页 > 商品目录 > > > > DMS3015SSS-13代替型号比较

DMS3015SSS-13  与  AO4468  区别

型号 DMS3015SSS-13 AO4468
唯样编号 A36-DMS3015SSS-13 A36-AO4468
制造商 Diodes Incorporated AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 82
Td(off)(ns) - 19
Rds On(Max)@Id,Vgs - 17mΩ@10.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Rds On(Max)@4.5V - 23mΩ
Pd-功率耗散(Max) 1.55W(Ta) 3.1W
Qrr(nC) - 9
RdsOn(Max)@Id,Vgs 11.9mΩ@11A,10V -
VGS(th) - 2.4
Qgd(nC) - 3
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1276 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±12V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 30.6 nC @ 10 V -
Td(on)(ns) - 5
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 11A(Ta) 10.5A
Ciss(pF) - 740
驱动电压 4.5V,10V -
Trr(ns) - 18
Coss(pF) - 110
Qg*(nC) - 7.5
库存与单价
库存 2,500 2,224
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
50+ :  ¥1.199
100+ :  ¥0.9185
1,250+ :  ¥0.7799
2,500+ :  ¥0.66
70+ :  ¥0.7975
200+ :  ¥0.5511
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMS3015SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.55W(Ta) ±12V 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 11A(Ta)

¥1.199 

阶梯数 价格
50: ¥1.199
100: ¥0.9185
1,250: ¥0.7799
2,500: ¥0.66
2,500 当前型号
RXH125N03TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 12.5A(Ta) ±20V 2W(Ta) 12mΩ@12.5A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC

¥5.7303 

阶梯数 价格
30: ¥5.7303
50: ¥4.0247
100: ¥3.4593
500: ¥3.0856
1,000: ¥3.0089
2,000: ¥2.9514
2,452 对比
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55℃~150℃

¥0.7975 

阶梯数 价格
70: ¥0.7975
200: ¥0.5511
2,224 对比
RXH125N03TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 12.5A(Ta) ±20V 2W(Ta) 12mΩ@12.5A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC

¥5.7303 

阶梯数 价格
30: ¥5.7303
48 对比
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V ±20V 10.5A 3.1W 17mΩ@10.5A,10V -55℃~150℃

暂无价格 0 对比
RXH125N03TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 12.5A(Ta) ±20V 2W(Ta) 12mΩ@12.5A,10V 150°C(TJ) 8-SOIC

暂无价格 0 对比

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