DMP6250SE-13 与 NDT2955 区别
| 型号 | DMP6250SE-13 | NDT2955 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMP6250SE-13 | A36-NDT2955 | ||||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | ||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||
| 描述 | Single P-Channel 60 V 3 W 15 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-223 | |||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||
| 功率 | - | 3W(Ta) | ||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 250mΩ@1A,10V | 300 毫欧 @ 2.5A,10V | ||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.8W(Ta),14W(Tc) | 3W(Ta) | ||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-223 | TO-261-4,TO-261AA | ||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 2.1A | 2.5A(Ta) | ||||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA | ||||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 551pF @ 30V | 601pF @ 30V | ||||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 9.7nC @ 10V | 15nC @ 10V | ||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V | 4.5V,10V | ||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 250µA | ||||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 601pF @ 30V | ||||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 15nC @ 10V | ||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||
| 库存 | 4,390 | 3,683 | ||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||
| 单价(含税) |
|
|
||||||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP6250SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.8W(Ta),14W(Tc) 250mΩ@1A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 2.1A |
¥2.31
|
4,390 | 当前型号 | ||||||||||
|
NDT2955 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta) 300m Ohms@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 2.5A 2.5A(Ta) 300 毫欧 @ 2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA |
¥1.793
|
3,683 | 对比 | |||||||||||
|
NDT2955 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta) 300m Ohms@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 2.5A 2.5A(Ta) 300 毫欧 @ 2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
|
BSP315P H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-60V -1.17A 800mΩ@-1.17A,-10V ±20V 1.8W P-Channel -55°C~150°C SOT-223 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
BSP171P H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
60V 1.9A 450mΩ -4.5V 1.8W P-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |