DMP6185SE-13 与 STN3P6F6 区别
| 型号 | DMP6185SE-13 | STN3P6F6 | ||||||||||||||||||
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| 唯样编号 | A36-DMP6185SE-13 | A36-STN3P6F6 | ||||||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | STMicroelectronics | ||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET P-CH 60V SOT223 | |||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 不符合RoHs | ||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 150mΩ@2.2A,10V | - | ||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | - | ||||||||||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.2W(Ta) | - | ||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | - | ||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-223 | SOT-223-4 | ||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 3A | - | ||||||||||||||||||
| 系列 | 汽车级,AEC-Q101 | - | ||||||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - | ||||||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 708pF @ 30V | - | ||||||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14nC @ 10V | - | ||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||
| 库存 | 4,115 | 4,340 | ||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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DMP6185SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.2W(Ta) 150mΩ@2.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 P-Channel 60V 3A 车规 |
￥1.243
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4,115 | 当前型号 | ||||||||||||
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STN3P6F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-223-4 |
￥3.091
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4,340 | 对比 | ||||||||||||
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STN3P6F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-223-4 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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STN3P6F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-223-4 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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STN3P6F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-223-4 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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BSP613P H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
60V 2.9A 130mΩ@2.9A,10V ±20V 1.8W P-Channel -55°C~150°C SOT-223 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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