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DMP3085LSD-13  与  IRF7306TRPBF  区别

型号 DMP3085LSD-13 IRF7306TRPBF
唯样编号 A36-DMP3085LSD-13 A-IRF7306TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO Dual P-Channel 30 V 0.16 Ohm 25 nC 2 W Generation V SMT Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 100mΩ@1.8A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.1W 2W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 70mΩ@5.3A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 563pF @ 25V -
FET类型 2P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 11nC @ 10V -
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.9A 3.6A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 440pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 440pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
库存与单价
库存 315 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
60+ :  ¥0.9526
100+ :  ¥0.6347
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP3085LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥0.9526 

阶梯数 价格
60: ¥0.9526
100: ¥0.6347
315 当前型号
IRF7306TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥3.729 

阶梯数 价格
20: ¥3.729
100: ¥3.113
1,000: ¥2.882
2,000: ¥2.75
4,000: ¥2.607
5,472 对比
STS4DPF30L STMicro  数据手册 通用MOSFET

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8-SO

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