DMP3085LSD-13 与 IRF7306PBF 区别
| 型号 | DMP3085LSD-13 | IRF7306PBF | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMP3085LSD-13 | A-IRF7306PBF | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO | Dual P-Channel 30 V 2 W 25 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 100mΩ@1.8A,10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.1W | 2W | ||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 70mΩ@5.3A,10V | - | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 563pF @ 25V | - | ||||||
| FET类型 | 2P-Channel | P-Channel | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 11nC @ 10V | - | ||||||
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SO | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | 3.9A | 3.6A | ||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 440pF @ 25V | ||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25nC @ 10V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 3,915 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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DMP3085LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2P-Channel 1.1W 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 3.9A |
￥0.979
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3,915 | 当前型号 | ||||||||
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STS4DPF30L | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||
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|
STS4DPF30L | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRF7306TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 100mΩ@1.8A,10V 2W P-Channel 30V 3.6A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
IRF7306PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100mΩ@1.8A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) P-Channel 30V 3.6A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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