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DMP3056LSS-13  与  IRF7406PBF  区别

型号 DMP3056LSS-13 IRF7406PBF
唯样编号 A36-DMP3056LSS-13-1 A-IRF7406PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 30 V 45 mO Enhancement Mode Field Effect Transistor - SOP-8 Single P-Channel 30 V 2.5 W 59 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.1mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 45mΩ 45mΩ@2.8A,10V
上升时间 5.3ns -
栅极电压Vgs 20V ±20V
封装/外壳 SOP 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 7.1A 5.8A
配置 SingleQuadDrainTripleSource -
长度 5.3mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 14.7ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1100pF @ 25V
高度 1.50mm -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W 2.5W(Ta)
典型关闭延迟时间 26.5ns -
FET类型 - P-Channel
系列 DMP3056 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 722pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.8nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 6.4ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 59nC @ 10V
库存与单价
库存 190 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
100+ :  ¥0.5289
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP3056LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOP 7.1A 2.5W 45mΩ 30V 20V

¥0.5289 

阶梯数 价格
100: ¥0.5289
190 当前型号
STR2P3LLH6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比
STR2P3LLH6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3

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STR2P3LLH6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比
IRF7726TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.79W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 26mΩ@7A,10V P-Channel 30V 7A MSOP-8

暂无价格 0 对比
IRF7406PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

45mΩ@2.8A,10V ±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) P-Channel 30V 5.8A 8-SO

暂无价格 0 对比

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