DMP3050LVT-7 与 FDC610PZ 区别
| 型号 | DMP3050LVT-7 | FDC610PZ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMP3050LVT-7 | A36-FDC610PZ | ||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | DMP3050LVT: 30 V 50 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26 | P-Channel 30 V 42 mOhm 24 nC SMT PowerTrench Mosfet - SSOT-6 | ||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| 功率 | - | 1.6W(Ta) | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 50mΩ@4.5A,10V | 42 毫欧 @ 4.9A,10V | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.8W(Ta) | 1.6W(Ta) | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±25V | ±25V | ||||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | TSOT-26 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 4.5A | 4.9A | ||||||||||||||
| 系列 | - | PowerTrench® | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | 3V @ 250µA | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 620pF @ 15V | 1005pF @ 15V | ||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10.5nC @ 10V | 24nC @ 10V | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V | ||||||||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1005pF @ 15V | ||||||||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 24nC @ 10V | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 1,510 | 1,643 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
|
|
||||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMP3050LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 1.8W(Ta) 50mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 4.5A |
￥1.0604
|
1,510 | 当前型号 | ||||||||||
|
FDC610PZ | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
4.9A(Ta) ±25V 1.6W(Ta) 42m Ohms@4.9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 SuperSOT P-Channel 30V 4.9A 42 毫欧 @ 4.9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
￥1.518
|
1,643 | 对比 | |||||||||||
|
AO6401A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 P-Channel -30V ±12V -5A 2W 47mΩ@-5A,-10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 4 | 对比 | ||||||||||
|
|
FDC610PZ | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
4.9A(Ta) ±25V 1.6W(Ta) 42m Ohms@4.9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-6,TSOT-23-6 SuperSOT P-Channel 30V 4.9A 42 毫欧 @ 4.9A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
|
IRFTS9342TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 40mΩ@5.8A,10V P-Channel 30V 5.8A 6-TSOP |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
|
AO6401A | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 P-Channel -30V ±12V -5A 2W 47mΩ@-5A,-10V -55°C~150°C |
￥0.7655
|
0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
