DMP3036SSS-13 与 AO4419 区别
| 型号 | DMP3036SSS-13 | AO4419 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMP3036SSS-13 | A36-AO4419 | ||||||||||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | AOS | ||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||||
| 描述 | ||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||
| Crss(pF) | - | 125 | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@9A,10V | 20mΩ@10V | ||||||||||||||
| ESD Diode | - | No | ||||||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 35mΩ | ||||||||||||||
| Qgd(nC) | - | 4.6 | ||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | ±25V | 20V | ||||||||||||||
| Td(on)(ns) | - | 10 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SO | SO-8 | ||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 11.4A | -9.7A | ||||||||||||||
| Ciss(pF) | - | 1040 | ||||||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 5V,10V | - | ||||||||||||||
| Schottky Diode | - | No | ||||||||||||||
| Trr(ns) | - | 11.5 | ||||||||||||||
| Td(off)(ns) | - | 26 | ||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | -30V | ||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W(Ta) | 3.1W | ||||||||||||||
| Qrr(nC) | - | 25 | ||||||||||||||
| VGS(th) | - | -2.5 | ||||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - | ||||||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1931pF @ 15V | - | ||||||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 16.5nC @ 10V | - | ||||||||||||||
| Coss(pF) | - | 180 | ||||||||||||||
| Qg*(nC) | - | 9.6 | ||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||
| 库存 | 373 | 6,320 | ||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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DMP3036SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 1.4W(Ta) 20mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 11.4A |
￥3.113
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373 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
￥1.595
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6,320 | 对比 | ||||||||||||
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SI4435DY | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
30V 8.8A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 20m Ohms@8.8A,10V -55°C~175°C(TJ) P-Channel 8.8 A 30 V 0.035 0hms -20 V、+20 V 增强 2.5W 1604 pF @ -15 V SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | |||||||||||||
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AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
￥1.2352
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0 | 对比 | ||||||||||||
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IRF9393TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 9.2A 32.5mΩ 2.5W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SI4435DY | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
30V 8.8A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 20m Ohms@8.8A,10V -55°C~175°C(TJ) P-Channel 8.8 A 30 V 0.035 0hms -20 V、+20 V 增强 2.5W 1604 pF @ -15 V SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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