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DMP3036SSS-13  与  SI4435DYTRPBF  区别

型号 DMP3036SSS-13 SI4435DYTRPBF
唯样编号 A36-DMP3036SSS-13 A-SI4435DYTRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@9A,10V 20mΩ@8A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.4W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±25V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11.4A 8A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1931pF @ 15V 2320pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16.5nC @ 10V 60nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2320pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
库存与单价
库存 859 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.276
100+ :  ¥0.9812
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP3036SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.4W(Ta) 20mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 11.4A

¥1.276 

阶梯数 价格
40: ¥1.276
100: ¥0.9812
859 当前型号
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO

暂无价格 4,000 对比
AO4419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V

¥1.551 

阶梯数 价格
40: ¥1.551
100: ¥1.243
400 对比
AO4419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V

¥1.2352 

阶梯数 价格
3,000: ¥1.2352
0 对比
AUIRF7416QTR Infineon  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 30V 10A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 20mΩ@5.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SO8 车规

暂无价格 0 对比
SI4435DYTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 20mΩ@8A,10V P-Channel 30V 8A 8-SO

暂无价格 0 对比

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