DMP3036SSS-13 与 SI4435DY 区别
| 型号 | DMP3036SSS-13 | SI4435DY | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMP3036SSS-13 | A-SI4435DY | ||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | P-Channel 30 V 20 mOhm 17 nC Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 宽度 | - | 3.9mm | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@9A,10V | 0.035 0hms | ||||
| 引脚数目 | - | 8 | ||||
| 最小栅阈值电压 | - | 1V | ||||
| 栅极电压Vgs | ±25V | -20 V、+20 V | ||||
| 封装/外壳 | SO | SO-8 | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | 11.4A | 8.8 A | ||||
| 长度 | - | 4.9mm | ||||
| 最低工作温度 | - | -55 °C | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 5V,10V | 4.5V,10V | ||||
| 正向二极管电压 | - | 1.2V | ||||
| 每片芯片元件数目 | - | 1 Ohms | ||||
| 最高工作温度 | - | +175 °C | ||||
| 高度 | - | 1.57mm | ||||
| 类别 | - | 功率 MOSFET | ||||
| 典型关断延迟时间 | - | 42 ns | ||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 1604 pF @ -15 V | ||||
| 晶体管材料 | - | Si | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W(Ta) | 2.5W | ||||
| 晶体管配置 | - | 单 | ||||
| FET类型 | P-Channel | 增强 | ||||
| 系列 | - | PowerTrench | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1931pF @ 15V | 1604pF @ 15V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 16.5nC @ 10V | 24nC @ 5V | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 13 ns | ||||
| 正向跨导 | - | 24S | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 373 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMP3036SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 1.4W(Ta) 20mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 11.4A |
￥3.113
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373 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
￥1.595
|
6,320 | 对比 | ||||||||||||
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SI4435DY | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
30V 8.8A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 20m Ohms@8.8A,10V -55°C~175°C(TJ) P-Channel 8.8 A 30 V 0.035 0hms -20 V、+20 V 增强 2.5W 1604 pF @ -15 V SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | |||||||||||||
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AO4419 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V |
￥1.2352
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0 | 对比 | ||||||||||||
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IRF9393TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 9.2A 32.5mΩ 2.5W |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SI4435DY | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
30V 8.8A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 20m Ohms@8.8A,10V -55°C~175°C(TJ) P-Channel 8.8 A 30 V 0.035 0hms -20 V、+20 V 增强 2.5W 1604 pF @ -15 V SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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