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DMP3036SSS-13  与  IRF9392TRPBF  区别

型号 DMP3036SSS-13 IRF9392TRPBF
唯样编号 A36-DMP3036SSS-13 A-IRF9392TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET IRF9392TRPBF, 9.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@9A,10V 17.5mΩ
引脚数目 - 8
最小栅阈值电压 - 1.3V
栅极电压Vgs ±25V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
封装/外壳 SO -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11.4A 9.8A
长度 - 5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V 10V,20V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
正向二极管电压 - 1.2V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1270pF
高度 - 1.50mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 73 ns
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 1.4W(Ta) 2.5W
FET类型 P-Channel -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
系列 - HEXFET
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1931pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16.5nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 15 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC
正向跨导 - 36S
库存与单价
库存 1 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP3036SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.4W(Ta) 20mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 11.4A

暂无价格 1 当前型号
IRF7416TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

20mΩ@5.6A,10V P-Channel 30V 10A 8-SO

暂无价格 4,000 对比
AO4419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V

暂无价格 1 对比
AO4419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V 20V -9.7A 3.1W 20mΩ@10V

¥2.5734 

阶梯数 价格
480: ¥2.5734
1,000: ¥2.025
1,500: ¥1.5836
3,000: ¥1.2352
0 对比
IRF9392TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 9.8A 17.5mΩ 2.5W

暂无价格 0 对比
DMP3035LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 2W(Ta) 16mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 11A

暂无价格 0 对比

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