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DMP3007SPS-13  与  IRFHM9391TRPBF  区别

型号 DMP3007SPS-13 IRFHM9391TRPBF
唯样编号 A36-DMP3007SPS-13 A-IRFHM9391TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 90A PWRDI5060-8 Single P-Channel 30 V 14.6 mO 16 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14.6mΩ@11A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.7W(Ta) 2.6W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 7mΩ@15A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2826 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±25V ±25V
FET类型 P-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 64.2 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 90A(Tc) 11A
系列 - HEXFET®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1543pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 16nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1543pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 16nC @ 10V
库存与单价
库存 2,630 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.036
100+ :  ¥2.332
1,250+ :  ¥2.024
2,500+ :  ¥1.936
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP3007SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 2.7W(Ta) ±25V PowerDI5060-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 90A(Tc)

¥3.036 

阶梯数 价格
20: ¥3.036
100: ¥2.332
1,250: ¥2.024
2,500: ¥1.936
2,630 当前型号
IRFHM9391TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±25V 2.6W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 14.6mΩ@11A,10V N-Channel 30V 11A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33

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