DMP2160UFDB-7 与 PMDPB55XP,115 区别
| 型号 | DMP2160UFDB-7 | PMDPB55XP,115 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-DMP2160UFDB-7-1 | A36-PMDPB55XP,115 | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Nexperia | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||
| 描述 | Dual P-Channel 20 V 1.4 W 6.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - UDFN-6 | MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 70mΩ@2.8A,4.5V | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | -20V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.4W | 0.49W | ||||||
| 输出电容 | - | 80pF | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | 12V,-0.65V | ||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | DFN | SOT1118 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C | ||||||
| 连续漏极电流Id | 3.8A | -4.5A | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 900mV @ 250µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 536pF @ 10V | - | ||||||
| 输入电容 | - | 785pF | ||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6.5nC @ 4.5V | - | ||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 70mΩ@3.4A,4.5V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 213 | 748 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） |
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| 购买数量 | ||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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DMP2160UFDB-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
70mΩ@2.8A,4.5V 1.4W -55°C~150°C(TJ) DFN P-Channel 20V 3.8A |
￥0.7191
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213 | 当前型号 | ||||||
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PMDPB55XP,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1118 P-Channel 0.49W 150°C 12V,-0.65V -20V -4.5A |
￥2.519
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748 | 对比 | ||||||
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PMDPB55XP,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT1118 P-Channel 0.49W 150°C 12V,-0.65V -20V -4.5A |
暂无价格 | 480 | 对比 |
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