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DMP2100U-7  与  IRLML2244TRPBF  区别

型号 DMP2100U-7 IRLML2244TRPBF
唯样编号 A36-DMP2100U-7 A36-IRLML2244TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23 Single P-Channel 20 V 1.3 W 6.9 nC Surface Mount HexFet Power Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 54mΩ@4.3A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 800mW(Ta) 1.3W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 38mΩ@3.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 216 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±10V ±12V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 9.1 nC @ 4.5 V -
封装/外壳 SOT-23-3 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.3A(Ta) 4.3A
系列 - HEXFET®
驱动电压 1.8V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 570pF @ 16V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6.9nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 570pF @ 16V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6.9nC @ 4.5V
库存与单价
库存 3,741 10,288
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6512
200+ :  ¥0.4966
1,500+ :  ¥0.4316
3,000+ :  ¥0.3822
60+ :  ¥0.8448
200+ :  ¥0.583
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP2100U-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.6512 

阶梯数 价格
80: ¥0.6512
200: ¥0.4966
1,500: ¥0.4316
3,000: ¥0.3822
3,741 当前型号
IRLML6401TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.6875 

阶梯数 价格
80: ¥0.6875
200: ¥0.5239
1,500: ¥0.455
3,000: ¥0.403
33,480 对比
IRLML2244TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.8448 

阶梯数 价格
60: ¥0.8448
200: ¥0.583
10,288 对比
IRLML6401TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 9,000 对比
IRLML6401TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 3,000 对比
DMP2100UQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.5733
1,500: ¥0.4979
3,000: ¥0.4407
3,000 对比

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