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DMP2004WK-7  与  BSS223PWH6327XTSA1  区别

型号 DMP2004WK-7 BSS223PWH6327XTSA1
唯样编号 A36-DMP2004WK-7 A-BSS223PWH6327XTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 P-Channel 20 V 2 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-323 MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 250mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 900mΩ@430mA,4.5V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 20V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 250mW(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 56pF @ 15V
栅极电压Vgs ±8V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 SOT-323 SC-70,SOT-323
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.4A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 1.5uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.62nC @ 4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 175pF @ 16V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.2 欧姆 @ 390mA,4.5V
Vgs(最大值) - ±12V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 390mA(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.5V,4.5V
漏源电压(Vdss) - 20V
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
90+ :  ¥0.6094
200+ :  ¥0.4641
1,500+ :  ¥0.4043
3,000+ :  ¥0.3575
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP2004WK-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±8V 250mW(Ta) 900mΩ@430mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-323 P-Channel 20V 0.4A

¥0.6094 

阶梯数 价格
90: ¥0.6094
200: ¥0.4641
1,500: ¥0.4043
3,000: ¥0.3575
3,000 当前型号
BSS223PWH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS223PW H6327_P 通道 SC-70,SOT-323 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
BSS223PW H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS223PWH6327XTSA1_20V 390mA 2.1Ω -2.5V 250mW P-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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