DMP2004DWK-7 与 NTJD4152PT1G 区别
| 型号 | DMP2004DWK-7 | NTJD4152PT1G | ||||||
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| 唯样编号 | A36-DMP2004DWK-7 | A-NTJD4152PT1G | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 小信号MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | Dual P-Channel 20 V 900 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-363 | MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||||||
| 工作温度 | -65°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||
| 连续漏极电流Id | 0.43A | -0.88A | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 900mΩ@430mA,4.5V | 260mΩ@880mA,4.5V | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | - | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 175pF @ 16V | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 20V | -20V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 250mW | 272mW | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±12V | ||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 2,037 | 0 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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DMP2004DWK-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
900mΩ@430mA,4.5V 250mW -65°C~150°C(TJ) SOT-363 P-Channel 20V 0.43A |
￥0.6369
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2,037 | 当前型号 | ||||||||
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NTJD4152PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-363 P-Channel 260mΩ@880mA,4.5V 272mW -55°C~150°C ±12V -20V -0.88A |
￥0.6633
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84 | 对比 | ||||||||
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BSD223P H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
20V 390mA 700mΩ 12V 250mW 2P-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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NTJD4152PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-363 P-Channel 260mΩ@880mA,4.5V 272mW -55°C~150°C ±12V -20V -0.88A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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NTJD4152PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-363 P-Channel 260mΩ@880mA,4.5V 272mW -55°C~150°C ±12V -20V -0.88A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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NTJD4152PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-363 P-Channel 260mΩ@880mA,4.5V 272mW -55°C~150°C ±12V -20V -0.88A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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