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DMP10H400SK3-13  与  IRFR6215PBF  区别

型号 DMP10H400SK3-13 IRFR6215PBF
唯样编号 A36-DMP10H400SK3-13 A-IRFR6215PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 150 V 110 W 44 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 240mΩ@5A,10V 295mΩ@6.6A,10V
漏源极电压Vds 100V 150V
Pd-功率耗散(Max) 42W(Tc) 110W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 DPAK D-Pak
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 9A 13A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1239pF @ 25V 860pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17.5nC @ 10V 66nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 860pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 66nC @ 10V
库存与单价
库存 2,683 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.925
100+ :  ¥1.474
1,250+ :  ¥1.298
2,500+ :  ¥1.21
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A

¥1.925 

阶梯数 价格
30: ¥1.925
100: ¥1.474
1,250: ¥1.298
2,500: ¥1.21
2,683 当前型号
SPD15P10PL G Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPD15P10PLGBTMA1_100V 15A 200mΩ@11.3A,10V ±20V 128W P-Channel -55°C~175°C TO-252-3

暂无价格 2,500 对比
IRFR9120NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

480mΩ@3.9A,10V ±20V 40W(Tc) -55°C~150°C(TJ) P-Channel 100V 6.6A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR6215TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 295mΩ@6.6A,10V P-Channel 150V 13A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR6215PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 295mΩ@6.6A,10V P-Channel 150V 13A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRFR5410PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 66W(Tc) 205mΩ@7.8A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 100V 13A D-Pak

暂无价格 0 对比

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