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DMNH6012LK3Q-13  与  AUIRFR2905ZTRL  区别

型号 DMNH6012LK3Q-13 AUIRFR2905ZTRL
唯样编号 A36-DMNH6012LK3Q-13 A-AUIRFR2905ZTRL
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 80A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14.5mΩ@36A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
产品特性 车规 车规
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 110W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 12mΩ@25A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1926 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 35.2 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 80A(Tc) 59A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1380pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 44nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1380pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 44nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH6012LK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~175℃(TJ) 60V 80A(Tc) 车规

暂无价格 0 当前型号
STD60NF55LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
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AUIRFR2905ZTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 14.5mΩ@36A,10V N-Channel 55V 59A D-Pak 车规

暂无价格 0 对比
BUK9215-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9215-55A_SOT428 N-Channel 115W 175℃ 1.5V 55V 62A

¥14.5848 

阶梯数 价格
400: ¥14.5848
1,000: ¥10.0585
1,250: ¥8.5241
2,500: ¥6.987
0 对比

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