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DMN67D8LW-13  与  DMN67D8LW-7  区别

型号 DMN67D8LW-13 DMN67D8LW-7
唯样编号 A36-DMN67D8LW-13 A36-DMN67D8LW-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5Ω@500mA,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 320mW(Ta) 320mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 5Ω@500mA,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 22 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±30V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 0.82 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-323 SOT-323-3
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 240mA(Ta) 240mA(Ta)
系列 - DMN67
驱动电压 5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 22pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.82nC @ 10V
库存与单价
库存 51 3,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
220+ :  ¥0.234
1,500+ :  ¥0.204
3,000+ :  ¥0.18
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN67D8LW-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 320mW(Ta) ±30V SOT-323 -55℃~150℃(TJ) 60V 240mA(Ta)

暂无价格 51 当前型号
DMN67D8LW-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 60V 240mA(Ta) ±30V 320mW(Ta) 5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-323-3

¥0.234 

阶梯数 价格
220: ¥0.234
1,500: ¥0.204
3,000: ¥0.18
3,000 对比
DMN67D8LW-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 60V 240mA(Ta) ±30V 320mW(Ta) 5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-323-3

¥0.2832 

阶梯数 价格
180: ¥0.2832
185 对比
SN7002WH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

SN7002W H6327_N 通道 SC-70,SOT-323 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规

暂无价格 0 对比
DMN67D8LW-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 60V 240mA(Ta) ±30V 320mW(Ta) 5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-323-3

暂无价格 0 对比
SN7002W H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

SN7002WH6327XTSA1_60V 230mA 2.3Ω 20V 500mW(1/2W) N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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